(直接間隔半導體)
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가전자대에서 에너지가 가장 높은 부분의 에너지와 전도대에서 에너지가 가장 낮은 부분의 에너지가 같은 파수로 발생하는 반도체.
이 문서는 2024년 7월 13일에 갱신되었습니다.