(gate酸化層)
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트랜지스터가 형성되기 위한 제2의 요소. 절연체 역할을 하며, 금속 산화물 반도체 소자의 게이트 밑의 유전체로 사용된다.
이 문서는 2024년 7월 13일에 갱신되었습니다.